언론 발표:
“Current high-sensitivity MOS image sensors suppress unevenness in brightness. CCDs have low color-mixing characteristics that suppress color unevenness. The rapidly expanding market for digital cameras with higher image quality and a slimmer body has resulted in greater demand for a stable supply of image sensors that offer both high sensitivity and uniform picture quality.
Panasonic has achieved both MOS image sensor’s high sensitivity and uniform picture quality using the new MOS image sensor technologies, enabling digital cameras and camcorders as well as cameras incorporated in smartphones and other mobile terminals to be slimmer with higher sensitivity and improved picture quality.
The new MOS image sensor has the following features:
-The fine process technologies provide a sensitivity of 3050 el/lx/sec/μm2, the industry’s highest as a MOS image sensor.
-The new light-focusing structure significantly expands the incident light angle, ensuring uniform and high picture quality, as well as produces a slimmer camera.
-The simple manufacturing process is based on the current MOS image sensor structure, ensuring a stable supply.
The new MOS image sensor has been created using the following Panasonic technologies:
-The 32 and 45 nm (nanometers) leading-edge semiconductor process technologies lower the wiring layer profile, expand the opening area, and increase the photo diode volume.
-The low color-mixing characteristics are enhanced by light-focusing structure design technologies that use a three-dimensional wave optics design to minimize light leakage at the structural boundaries.
-Image sensor mass-production technologies allow stable production of MOS image sensors with high picture-quality.”
번역 대신 일본 기사 본문을 가져다 넣습니다.
파나소닉은 12 일 업계 최고의 고감도 성능 등을 갖춘 새로운 MOS 이미지 센서 "SmartFSI"를 개발했다고 발표했다. 디지털 카메라에 12 월부터 양산한다.
SmartFSI
이 회사의 MOS 이미지 센서 "νMaicovicon"(뉴마이코비콘)의 고감도 화와 품질의 균일성을 양립하는 촬상 소자이다. 이번에 개발한 것은 1/2.33 인치 유효 약 1,420 만 화소 유형 "MN34110" 총 화소수 약 1,530 만 화소. 화면 비율은 4:3으로, 화소 피치는 1.43 × 1.43μm (모두 잠정 사양). 순차적으로 시리즈 전개해 간다.
새로운 첨단은 32nm 및 45nm 공정 기술을 도입. 배선 층의 박형화에 가세해 개구 면적 포토 부피의 확대를 도모했다. 그러면 MOS 이미지 센서로서 업계 최고가 되는 감도 3,050 el / lx / sec / μ 평방 m를 실현했다고 한다.
포토 부피의 확대는 인접한 화소의 포토 다이오드를 전기적으로 분리하는 소자 분리 형성 저 데미지로 미세화를 함으로써 노이즈를 억제했다.
이미지 센서는 on-chip, 컬러 필터, 집광 구조를 통과 포토 다이오드에 빛이 도달한다. 그 때, 각 부재끼리의 경계 면에서 빛의 누출이 발생한 혼색의 원인이 된다. 입사 광의 각도가 커질수록 이런 현상이 현저하게 되지만, SmartFSI에서 3 차원 파동 분석을 이용하여 on-chip과 집광 구조를 최적 설계하는 새로운 집광 구조를 채용. 빛의 누출을 최소화할 수있는 것으로, 화질의 균일성이 높다고 여겨지는 CCD와 동등 이상의 품질을 달성했다고 한다. 렌즈와 센서의 거리가 짧은 슬림형 카메라도 사진의 중심부와 주변부에서 얼룩과 휘도 편차를 줄일 수있다.
제조 공정이 단순 전통적인 MOS 센서 구조를 기본으로 하고 있기 때문에 공급 안정성을 확보할 수 있다고 하고 있다.
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