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파나소닉은 어떻게 GH2의 발일 문제를 해결했나 (+XZ-2 특허)

FIGS. 8A에서 8F까지의 다이어그램은 서로 다른 발열 구조의 온도 분표 비교를 보여준다.

만약 여러분이 파나소닉이 어떻게 가능성 있는 파나소닉 GH2의 발일 문제를 해결했는지 알고자 한다면, 여러분은 미국 특허 7933516 (freepatentsonline의 특허 전문을 읽으려면 여기 클릭)를 보아야 할 것이다. 아래는 그 설명이다:

“카메라 바디가 더 작게 만들어질 때, 어쨌든, 이는 전자 파트를 둘러싼 공간을 축소시킨다. 전자 파트는 이미징 요소와 이미징 요소를 컨트롤하는 이미징 요소 회로를 포함하는 이미징 요소 유닛, 또는 카메라 컨트롤러가 장착되는 주 회로 기판 등이 있으며, 이는 이러한 전자 파트가 함께 좀 더 집적도가 높게 패키징 된다는 것을 의미한다. 한편, 화질이 올라가는만큼, 이미징 요소와 카메라 컨트롤러는 훨씬 더 많은 양의 전력을 소비하게 되므로, 이들 전자 파트는 열을 더 생성한다. 특히, 이미징 요소에 의해 많은 양의 열이 생성될 때, 열은 이미징 요소로부터 카메라 컨트롤러가 장착되는 주 회로 기판과 같은 전자 파트로 전달되며, 그 열은 전자 파트를 손상시킬 가능성이 있다. 아래에 설명된 카메라 컨트롤러와 이미징 요소로, 열이 전자 파트를 손상시키는 것은 방지될 수 있다.”

“주 회로 기판은 바디 마운트로부터 이미징 요소의 반대편에 위치하며, 카메라 컨트롤러를 포함한다. 열 발산 판은 이미징 요소와 주 회로 기판 사이에 위치한다. 이 카메라 바디로, 열이 이미징 요소에 의해 생성되더라도, 그후 이미징 요소로부터 주 회로 기판으로 전달되는 열의 양은 열 발산 판에 의해 감소되며, 주 회로 기판의 온도가 올라가는 것을 억제할 수 있다. 이는 열이 전자 파트를 손상시키는 것을 방지한다.

그림 8A에서 8F까지에서 보여지는 것처럼, 참고 예제의 열 발산 구조의 구현에서의 열 발산 구조 비교는 CMOS 이미지 센서 110 와 주 회로 기판 142 의 온도가 이 구현에서 보다 낮다는 것을 밝혀준다. 이것의 원인은 CMOS 이미지 센서 110 의 열이 열 발산 판 195 과 열 전도체 196에 의해 효율적으로 흡수되며, 그 열이 CMOS 이미지 센서 110 로부터 열 전도체 196 를 통하여 전면까지 넓게 효율적으로 방출되는 것으로 보인다.

이것은 또한 카메라 바디 100 의 바닥면 101a 의 온도가 이 구현에서 좀 더 낮아지는 것을 보여줄 수 있다. 이 같은 이유는 CMOS 이미지 센서 110 로부터 메인 프레임 154 으로까지 전달되는 열의 부분이 열 발산 구성원 198 에 의해 열 전도체의 길목의 바깥쪽으로 발산되기 때문이다.

이들 결과는 이 구현의 열 발산 구조가 주 회로 기판 142 의 온도 상승을 억제하고 카메라 바디 100 의 바닥면의 온도 상승을 억제하는데 효과적이라는 것을 말해준다.”

일본 블로그 Egami (여기 클릭)는 28-112mm F1.8-3.8 렌즈를 장착한 올림푸스 XZ-2일 듯한 묘사를 담은 특허를 발견했다.

대단한 것은 아니다….